http://dx.doi.org/10.17213/0321-2653-2016-2-10-14
МОДЕЛИРОВАНИЕ НАЧАЛЬНЫХ СТАДИЙ РОСТА КВАЗИОДНОМЕРНЫХ СТРУКТУР В МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ СИСТЕМАХ A3B5
Благин Анатолий Вячеславович – д-р физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой «Физика», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова, г. Новочеркасск, Россия. Тел. (8635) 25-54-81. E-mail: a-blagin@mail.ru
Нефедов Виктор Викторович – канд. техн. наук, доцент, кафедра «Общеинженерные дисциплины», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова, г. Новочеркасск, Россия. Тел. (8635) 25-53-27. E-mail: nvvnpi@gmail.com
Пухлова Анастасия Александровна – магистрант, Энергетический факультет, Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова, г. Новочеркасск, Россия. Тел. (8635) 25-54-20. E-mail: n.a.s.t.y.a1992@yandex.ru
Обсуждаются результаты моделирования и экспериментальных исследований процессов зарождения квазиодномерных (островковых) структур многокомпонентных систем на основе дислокационного механизма роста. Исследование начальных стадий роста развития зародышей твердой фазы от момента их возникновения до формирования кристаллической структуры проведено с помощью модели островкового зарождения и метода клеточных автоматов. В качестве исследуемых материалов рассматриваются твердые растворы AlInSbBi и AlInGaSbBi на подложках InSb. На их основе получены структуры с прототипами квантовых точек, механизм формирования которых в определенной мере сходен с механизмом так называемого оствальдовского созревания. В работе приведены расчетные кривые индукционного периода созревания структур.
моделирование; многокомпонентные системы; квазиодномерные структуры; кристаллическая структура; механизмы роста; квантовые точки.
[
1. Барыбин А.А., Сидоров В.Г. Физико-технологические основы электроники. М.: Лань, 2002.
2. Венгренович Р.Д. К расчету о функции распределения в поверхностных дисперсных системах // УФЖ. 1977. Т. 22, № 2. С.219 – 223.
3. Венгренович Р.Д., Гудыма Ю.В., Ярема С.В. Оствальдовское созревание наноструктур с квантовыми точками // Физика и техника полупроводников. 2001. Т. 35, вып. 12. C. 1440.
4. Подщипков Д.Г. Исследование процессов роста и свойств многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой в системах Ga-Sb-Bi, In-Sb-Bi и Ga-In-As-Sb-Bi: автореф. дис. … канд. техн. наук. Волгодонск, 2009.
5. Leonard D., Pond K., Petroff P.M.. Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 50, № 16, p. 11687 – 11692.
6. Сысоев И.А., Лунина М.Л., Алфимова Д.Л., Благин А.В., Гусев Д.А., Середин Б.М. Формирование массивов квантовых точек GAXIN1 - XASYP1 - Y/GAAS в процессе ионнолучевого осаждения // Неорганические материалы. 2014. Т. 50, № 3. С. 237.
7. Barannik A.A., Kireev E.I., Lunina M.L., Blagin A.V. The Kinetics Of The Crystallization In Bismuth-Containing Heterosystems Al-In-Sb-Bi And Ga-As-P-Bi // Inorganic Materials. 2008. Т. 44. № 12. С. 1289 – 1292.
8. Середин Б.М., Благин А.В. Исследование процессов деформации плоских слоев растворителя при термомиграции через кремниевые подложки // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2013. № 6. С. 122 – 127.
9. Лифшиц И.М., Слезов В.В. О кинетике диффузионного распада пересыщенных твердых растворов // ЖЭТФ. 1958. Т. 35. С. 479.
10. Wang L.G., Kratzer P., Moll N., Scheffler M. Size, shape, and stability of InAs quantum dots on the GaAs (001) substrat // Phys. Rev., 2000.Vol. 62. P.1897.