ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ СЕВЕРО-КАВКАЗСКИЙ РЕГИОН. 2014; 5: 84-89
http://dx.doi.org/
МОРФОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ И СВОЙСТВА ПЛЕНОЧНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СЛОЖНЫХ СОЕДИНЕНИЙ ИНДИЯ И ГАЛЛИЯ
Благин Анатолий Вячеславович – д-р физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой «Физика», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова. Тел. (86352) 55-3-44. E-mail: bla_gin@mail.ru
Благин Вячеслав Анатольевич – студент, Московский энергетический университет, Институт тепловой и атомной энергетики. E-mail: blaginbox@gmail.com
Ващенко Сергей Николаевич – аспирант, кафедра «Физика», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова. E-mail: vatsond@mail.ru
Лунина Марина Леонидовна – канд. физ.-мат. наук, доцент, ст. науч. сотр., лаборатория солнечной энергетики Южного научного центра РАН. Тел. (8652) 94-41-72. E-mail: MarinaSchaz@rambler.ru
Сысоев Игорь Александрович – д-р техн. наук, доцент, зав. лабораторией солнечной энергетики Южного научного центра РАН. Тел. (8652) 94-41-72. eianpisia@yandex.ru
Аннотация
Обсуждаются результаты исследований морфологии поверхности многокомпонентных эпитаксиальных слоев соединений А3В5, выращенных при различных условиях градиентной жидкофазной эпитаксии. Устновлены основные параметры, определяющие качество поверхности и структурное совершенство многокомпонентных гетероструктур соединений А3В5: градиент температуры, состав раствора-расплава, величина переохлаждения, согласование параметров решетки и КТР слоя и подложки, ориентация подложки.
Ключевые слова: полупроводниковые структуры; арсенид галлия (индия); антимонид галлия (индия); градиентная жидкофазная эпитаксия; морфология поверхности.
Полный текст: [in elibrary.ru]
Ссылки на литературу
1. Лозовский В.Н, Лунин Л.С., Благин А.В. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов. Ростов н/Д., 2003. 376 с.
2. Лозовский В.Н., Лунин Л.С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений А3В5. Ростов н/Д., 1992. 192 с.
3. Баранник А.А., Благина Л.В., Драка О.Е., Подщипков Д.Г. Физико-химические основы получения многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой. Ростов н/Д., 2009. 192 с.
4. Лунин Л.С., Благин А.В., Алфимова Д.Л., Попов А.И., Разумовский П.И. Физика градиентной эпитаксии многокомпонентных полупроводниковых гетероструктур. Ростов н/Д., 2008. 212 с.
5. Лунин Л.С., Баранник А.А., Сысоев И.А., Смолин А.Ю. Техника градиентной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур электронной техники. Ростов н/Д., 2008. 160 с.
6. Кузнецов В.В., Коговицкая Е.А., Лунина М.Л., Рубцов Э.Р. Висмут в четверных и пятерных твердых растворах на основе соединений AIIIBV // Журн. физ. химии. 2011. Т.85, № 12. С. 2210 – 2215.
7. Лунин Л.С., Лунина М.Л.., Сысоев И.А., Благин А.В., Подщипков Д.Г. Рост эпитаксиальных пленок GaInAs<Bi>/InAs в поле температурного градиента и исследование их поверхности // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Естеств. науки. 2008. № 4. С. 34 – 38.
8. Краснов К.С., Воробьев Н.К., Годнев И.Н., Васильева В.Н., Васильев В.П., Киселева В.Л., Белоногов К.Н., Гостикин В.П. Физическая химия: в 2 кн. Кн. 1. Строение вещества. Термодинамика. М., 2001. 512 с.
9. Благин А.В. Принципы контролируемого воздействия в технологиях низкоразмерных систем // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника: материалы Всерос. науч. конф., г. Новочеркасск, 11-12 октября 2012 г / Юж.-Рос. гос. техн. ун-т (НПИ). Новочеркасск, 2012. 108 с.
10. Питер Ю., Мануэль Кардона. Основы физики полупроводников. М., 2002. 560 с.