ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ СЕВЕРО-КАВКАЗСКИЙ РЕГИОН. 2014; 6: 123-127
http://dx.doi.org/10.17213/0321-2653-2014-6-123-127
ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ ОГРАНИЧЕНИЯ ПО ПЛАВКОСТИ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ GaInBiAsSb НА ПОДЛОЖКАХ InSb
Алфимова Дина Леонидовна – канд. техн. наук, доцент, лаборатория солнечной энергетики, Южный научный центр Российской академии наук, г. Ростов-на-Дону. Тел. (863)2-509-810.
Лунина Марина Леонидовна – канд. физ.-мат. наук, доцент, лаборатория солнечной энергетики, Южный научный центр Российской академии наук, г. Ростов-на-Дону. Тел. (863)
2-509-810.
Середин Борис Михайлович – канд. техн. наук, доцент, кафедра «Физика», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова. Тел. (863)52-55-443. E-mail: seredinboris@gmail.com
Попов Виктор Павлович – д-р техн. наук, профессор, кафедра «Физика», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова. Тел. (863)52-55-443.
Аннотация
Проведен термодинамический анализ ограничения по плавкости твердых растворов GaInBiAsSb на подложках InSb. Рассчитаны бинодали и спинодали для твердых растворов GaInBiAsSb в области ограничения. На основе проведенного анализа методом зонной перекристаллизации градиентом температуры получены гетероструктуры GaInBiAsSb/InSb. Исследования состава эпитаксиальных слоев методом масс-спектрометрии вторичных нейтральных частиц показали, что в относительно толстых слоях ~10 мкм распределение элементов практически однородно, за исключением переходной области ~1 мкм. Оксидные и карбидные соединения элементов в объеме эпитаксиального слоя гетероструктуры не обнаружены.
Ключевые слова: термодинамический анализ; твердый раствор; соединения А3В5.
Полный текст: [in elibrary.ru]
Ссылки на литературу
1. Лунин Л.С., Сысоев И.А. Техника градиентной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур электронной техники. Ростов на/Д., 2008. С. 160.
2. Хвостиков В.П., Лунин Л.С., Кузнецов В.В., Олива Э.В., Хвостикова О.А., Шварц М.З. Многокомпонентные твердые растворы на основе InAs для термофотоэлектрических преобразователей // Письма в ЖТФ. 2003, Т. 29, Вып. 20. С. 33 – 37.
3. Арсентьев И.Н., Лунин Л.С., Кузнецов В.В., Шишков М.В., Улин В.П., Христенко А.Е. Получение твердых растворов GaInAsP на подложках фосфида индия методом жидкофазной эпитаксии // Поверхность. Рентгеновские и нейтронные исследования. 2006. С. 14 – 20.
4. Синельников Б.М., Лунина М.Л. Гетероструктуры GaхIn1-хBiуAszSb1-y-z/InSb и InBiyAszSb1-y-z/InSb, полученные в поле температурного градиента // Неорганические материалы. 2012. Т. 48. № 9. С. 995 – 1001.
5. Алфимова Д.Л., Лунин Л.С., Лунина М.Л. Выращивание и свойства твердых растворов GayIn1-yPzAs1-x-yBiy на подложках GaP // Неорганические материалы. 2014. Т. 48, № 9. С. 995 – 1001.
6. Кузнецов В.В., Когновицкая Е.А., Лунина М.Л., Рубцов Э.Р. Висмут в четверных и пятерных твердых растворов на основе соединений А3В5 // Журн. физической химии. 2001. Т. 85. № 12. С. 1 – 6.
7. Баранов А.Н., Гусейнов А.А., Литвак А.М. [и др.]. Получение твердых растворов InGaAsSb, изопериодных с GaSb вблизи границы области несмешиваемости // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. № 5. С. 33 – 38.
8. Алфимова Д.Л., Лунина М.Л., Папков И.П., Середин Б.М. Термодинамические ограничения синтеза и устойчивость висмутсодержащих многокомпонентных твердых растворов // Изв. вузов. Сев.-Кавк. региона. Техн. науки. 2014. № 4. С. 85 – 90.
9. Благин А.В., Валюхов Д.П., Лунин Л.С., Пигулев Р.В., Хабибулин И.М. Масс-спектрометрическое исследование гетероструктуры GaInPAsSb/GaSb // Неорганические материалы. 2008. Т. 44. № 8. С. 1 – 3.
10. Алфимова Д.Л., Лунин Л.С., Лунина М.Л. Виляние условий выращивания на качество поверхности и структурное совершенство многокомпонентных гетеростурктур соединений А3В5 // Поверхность. 2014. № 6. С. 103 – 112.