http://dx.doi.org/10.17213/0321-2653-2015-3-103-107
ВЛИЯНИЕ АНИЗОТРОПИИ КРИСТАЛЛА НА ФОРМУ ДВИЖУЩЕГОСЯ В ГРАДИЕНТНОМ ПОЛЕ ЖИДКОГО ВКЛЮЧЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ СИНТЕЗА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
Благин Анатолий Вячеславович – д-р физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой «Физика», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова, г. Новочеркасск, Россия. E-mail: bla_gin@ mail.ru
Благина Лариса Васильевна – канд. техн. наук, доцент, кафедра «Естественно-научные и гуманитарные дисциплины», филиал Донского государственного технического университета, г. Волгодонск, Россия. E-mail: blagina_ larisa@mail.ru
Лозовский Сергей Владимирович – канд. физ.-мат. наук, профессор, кафедра «Физика», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени
М.И. Платова, г. Новочеркасск, Россия
Малибашев Александр Владимирович – канд. техн. наук, доцент, кафедра «Физика», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени
М.И. Платова, г. Новочеркасск, Россия
Нефедова Наталья Александровна – ассистент, кафедра «Физика», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова, г. Новочеркасск, Россия
Обсуждаются результаты математического моделирования движения жидкого линейного включения в кристаллических структурах A3B5 в условиях зонной перекристаллизации градиентом температуры для различных режимов нормального механизма растворения и роста. Модель учитывает анизотропию скоростей растворения и кристаллизации. Равновесные формы сечения жидкого включения согласуются с аналогичными формами, полученными экспериментально для AsGa–Ga. Показано, что зона приобретает выраженную огранку фронта растворения, в то время как фронт кристаллизации таковой не имеет. В эксперименте наблюдалась траекторная нестабильность, обусловленная затруднённостью кинетических процессов на границе растворения. Для технологического процесса получена область параметров успешного использования методики определения атомно-кинетических коэффициентов – при температурах процесса градиентной жидкофазной эпитаксии.
градиентная жидкофазная эпитаксия; анизотропия; термомиграция; фронт растворения; фронт кристаллизации; атомно-кинетические коэффициенты; линейныe зоны
[
1. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. 232 с.
2. Лунин Л.С., Благин А.В., Алфимова Д.Л., Попов А.И., Разумовский П.И. Физика градиентной эпитаксии многокомпонентных полупроводниковых гетероструктур. Ростов н/Д.: Изд-во СКНЦ ВШ, 2008. С. 212.
3. Лунин Л.С., Баранник А.А., Смолин А.Ю., Сысоев И.А. Техника градиентной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур электронной техники. Ростов н/Д.: Изд-во СКНЦ ВШ, 2008. С. 160.
4. Баранник А.А., Благин А.В., Киреев Е.И., Лунина М.Л. Кинетика кристаллизации в висмутсодержащих гетеросистемах Al–In–Sb–Bi и Ga–As–P–Bi // Журн. РАН. Неорганические материалы. 2008. Т. 44, № 12. С. 1430 – 1433.
5. Благин А.В., Ефремова Н.П., Попов В.П., Середин Б.М. Субструктуры, сформированные в арсениде галлия методом ГЖЭ // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2012. № 6. С. 131 – 136.
6. Малибашев А.В. Влияние анизотропии кристалла на форму жидкого включения, движущегося в поле температурного градиента // Кристаллизация и свойства кри сталлов: межвуз. сб. науч. тр. / Юж.-Рос. гос. техн. ун-т. Новочеркасск: Набла, 2003. С. 38 – 43.
7. Лунин Л.С., Благин А.В., Алфимова Д.Л., Попов А.И., Разумовский П.И. Физика градиентной эпитаксии многокомпонентных полупроводниковых структур. Ростов н/Д.: Изд-во СКНЦ ВШ, 2008. 212 с.
8. Алфимова Д.Л., Лунин Л.С., Лунина М.Л. Влияние условий выращивания на качество поверхности и структурное совершенство многокомпонентных гетероструктур соединений А3В5 // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2014. № 5. С. 612 – 621.
9. Лозовский В.Н., Князев С.Ю., Малибашев А.В. Компьютерное моделирование кинетики движения жидкой зоны при термомиграции // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. Спецвыпуск, 2002. С. 49 – 52.
10. Вульф Ю.В. Избранные главы по кристаллофизике и кристаллографии. М., Л.: Гос. изд. технико-теорети-ческой литературы, 1952. 344 с.
11. Попов Г.М., Шафрановский, И.И. Кристаллография. М.: Высш. шк., 1972, 352 с.
12. Князев С.Ю., Малибашев А.В. Применение метода конечных разностей для анализа кинетики миграции линейной зоны при зонной перекристаллизации градиентом температуры // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. Спецвыпуск, 2002. С. 67 – 69.